经典雷达资料-第5章固态发射机2
低噪声放大器（1）多级线性放大器的设计要求级联的级具有适当的器件尺寸以保持低的内部调制失真。（2）第一级前的输入端电路损失使设计的噪声系数变差， 因此， 一些设计采用片外匹配。（3）低噪声系数要求偏置状态接近于 FET 的夹断电压。当 FET 偏置接近夹断时，增益和噪声系数主要取决于夹断电压。由于用同一晶片制造的器件的夹断电压可能有明显的差异，所以必须仔细选择偏置条件。为了获得重复性，通常要牺牲增益和噪声系数。功率放大器（1）总栅极周长通常非常重要。对于高功率设计，呈现在末端器件的负载阻抗必须细致选择，以便使输出功率和效率最大。 （2）末级输出电路的损耗能大大减小输出功率和降低效率。对于给定的设计，要使输出最大，片外匹配是必须的。 （3）砷化镓导热性差。功率 FET的设计要考虑散热问题，芯片必须充分散热。 （ 4）对于高效的多级系统的设计，放大器的末级先于前一级到达饱和是必要的。这一点在电路设计中必须强调。收发开关（1）对于开关应用，应对 FET 的设计进行选择，以便使 FET 的通断电阻比尽可能大。沟道的长度决定了导通状态的电阻，进而决定了器件的插入损耗。在短栅极长度（导致较低产品率）和插入损耗间的权衡必须进行论证。 （ 2）寄生漏源电容值将影响器件断开状态的隔离度。 这个电容量在很大程度上取决 FET 几何结构的源漏间距。 临界应用通常只用在收发模块的前端开关结构中，即在接收低噪声放大器之前或发射放大器之后。移相器移相器的设计通常采用开关线或负载线的电路结构来实现多位相移，电路结构采用分布传输线元件或集中参数等效电路。 开关线结构依赖于 FET 开关来切换电路输入输出端传输线的长度， 并主要用于需要小芯片面积的高频段。 负载线结构使用开关 FET 的寄生特性作为电路元件以产生所需的相位变化。